基于半导体性单壁碳纳米管/富勒烯异质结的高性能透明全碳光电探测器
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摘要: 利用半导体性单壁碳纳米管（SWCNT）的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点，本文构筑了基于半导体性SWCNT （sc-SWCNT）/富勒烯（C60）异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管型光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成，全碳异质结作为导电沟道材料，金属性SWCNT作为源漏电极，氧化石墨烯（GO）作为介质层，在可见光波段透光率均高于80%。电学测试结果表明，该光电探测器表现出了较强的栅控能力，实现了从405-1064 nm的可见光-近红外宽光谱响应，在5 mW/cm<sup>2</sup>的940 nm激光照射下，该器件光电响应率可以达到18.55 A/W，比探测率达到5.35×10<sup>11</sup> Jones，同时，表现出了优异的循环稳定性。Abstract: 利用半导体性单壁碳纳米管（SWCNT）的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点，本文构筑了基于半导体性SWCNT （sc-SWCNT）/富勒烯（C60）异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管型光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成，全碳异质结作为导电沟道材料，金属性SWCNT作为源漏电极，氧化石墨烯（GO）作为介质层，在可见光波段透光率均高于80%。电学测试结果表明，该光电探测器表现出了较强的栅控能力，实现了从405-1064 nm的可见光-近红外宽光谱响应，在5 mW/cm<sup>2</sup>的940 nm激光照射下，该器件光电响应率可以达到18.55 A/W，比探测率达到5.35×10<sup>11</sup> Jones，同时，表现出了优异的循环稳定性。
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