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高温高压制备Cr2+: ZnSe单晶及其光学性质

王云鹏 王飞 赵东旭

王云鹏, 王飞, 赵东旭. 高温高压制备Cr2+: ZnSe单晶及其光学性质[J]. 中国光学(中英文), 2015, 8(4): 615-620. doi: 10.3788/CO.20150804.0615
引用本文: 王云鹏, 王飞, 赵东旭. 高温高压制备Cr2+: ZnSe单晶及其光学性质[J]. 中国光学(中英文), 2015, 8(4): 615-620. doi: 10.3788/CO.20150804.0615
WANG Yun-peng, WANG Fei, ZHAO Dong-xu. Optical properties of Cr2+: ZnSe single crystal grown under high temperature and high pressure[J]. Chinese Optics, 2015, 8(4): 615-620. doi: 10.3788/CO.20150804.0615
Citation: WANG Yun-peng, WANG Fei, ZHAO Dong-xu. Optical properties of Cr2+: ZnSe single crystal grown under high temperature and high pressure[J]. Chinese Optics, 2015, 8(4): 615-620. doi: 10.3788/CO.20150804.0615

高温高压制备Cr2+: ZnSe单晶及其光学性质

基金项目: 科技部国际合作资助项目(No.2014DRR10420)
详细信息
    通讯作者:

    王云鹏(1985—),男,吉林长春人,博士,助理研究员,主要从事红外激光开发研制及超快激光的研制及相关化学、生物超快动力学方面的研究。 E-mail:wangyunpeng@ciomp.ac.cn

    王 飞(1987—),男,黑龙江哈尔滨人,博士,助理研究员,主要从事晶体生长、纳米结构与器件方面的研究。E-mail:wangf@ciomp.ac.cn

    赵东旭(1974—),男,辽宁新民人,博士,研究员,博士生导师,主要从事晶体生长、纳米结构与器件方面的研究。E-mail:zhaodx@ciomp.ac.cn

  • 中图分类号: O782.2

Optical properties of Cr2+: ZnSe single crystal grown under high temperature and high pressure

  • 摘要: 为了得到高质量、大尺寸Cr2+: ZnSe中红外激光晶体,以适应高功率全固态中红外激光器的发展要求,在高温高压下全石墨腔内运用布里奇曼晶体生长方法,生长出了高质量Ф 30×120 mm Cr2+: ZnSe单晶。采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外稳态吸收及荧光光谱等测试方法对晶体的结构及光谱特性进行了表征,并探讨了Cr2+: ZnSe晶体中Cr2+的能级结构及跃迁机理。结果表明:所生长的Cr2+: ZnSe单晶结构均匀,性质稳定,1.97 μm激发的荧光光谱覆盖1.9~3 μm范围,可用于获得2~3 μm全固态中红外激光。

     

  • 图 1  晶体生长系统结构图及系统实物图

    Figure 1.  Structure diagram and picture of crystal growth system

    图 2  生长出的Cr2+∶ZnSe晶体

    Figure 2.  As-grown Cr2+∶ZnSe crystal

    图 3  Cr2+∶ZnSe晶体X射线衍射图谱及ZnSe的标准pdf卡

    Figure 3.  XRD pattern of Cr2+∶ZnSe (above) and standard card of ZnSe

    图 4  Cr2+∶ZnSe晶体选取电子衍射图

    Figure 4.  TEM photo of Cr2+∶ZnSe crystal

    图 5  Cr2+∶ZnSe晶体红外稳态吸收光谱及红外稳态荧光光谱

    Figure 5.  Absorption spectrum and fluorescence spectrum of Cr2+∶ZnSe crystal

    图 6  Cr2+∶ZnSe中的Cr2+能级结构

    Figure 6.  Energy structure of Cr2+ in Cr2+∶ZnSe

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-02-13
  • 录用日期:  2015-03-17
  • 刊出日期:  2015-01-25

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